日前，有消息稱，繼去年推出的136層第六代V-NAND閃存后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。
據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過(guò)1/3的份額，實(shí)力是最強(qiáng)的，不出意外160+層堆棧的閃存應(yīng)該也會(huì)是他們首發(fā)，繼續(xù)保持閃存技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，拉開與對(duì)手的差距。
就在上周，我國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。此外，SK Hynix在去年也已宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存；不過(guò)他們家的閃存結(jié)構(gòu)甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數(shù)高低。
