意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器（ePCM）。
注：FD-SOI 即全耗盡型絕緣體上硅，是一種平面半導體工藝技術，可以較簡單的制造步驟實現優秀的漏電流控制。
意法半導體表示，相較于其現在使用的 40nm eNVM 技術，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工藝大幅提升了性能參數：其在能效上提升了 50%，數字密度上提升了 3 倍，同時可容納更大的片上存儲器，擁有更低的噪聲系數。
該工藝能夠在 3V 電壓下提供多種模擬功能，包括電源管理、復位系統等，是 20nm 以下制程中唯一支持這些功能的技術。
同時，新的 18nm FD-SOI 工藝在抗高溫、抗輻射等方面也有出色表現，可用于要求苛刻的工業應用。
意法半導體首款基于該制程的 STM32 MCU 將于下半年開始向選定的客戶出樣，并計劃于 2025 年下半年量產。
