TechInsights發(fā)文稱，發(fā)現(xiàn)了臺(tái)積電22ULL嵌入式RRAM（阻電存儲(chǔ)器）芯片，低功耗無線物聯(lián)網(wǎng)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者Nordic Semiconductor推出的突破性nRF54L SoC器件采用了臺(tái)積電的22ULL嵌入式RRAM （eRRAM）。
TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以來，臺(tái)積電提供了40納米R(shí)RAM平臺(tái)，現(xiàn)在的22納米R(shí)RAM是臺(tái)積電的第二代eRRAM。這是業(yè)界首個(gè)擁有最先進(jìn)的22納米CMOS技術(shù)的RRAM，可與嵌入式STT-MRAM相媲美。
eRRAM內(nèi)存塊密度為17.5 bit/ µm2，位線方向的RRAM層寬度為170 納米。RRAM存儲(chǔ)層放置在metal 3上。ReRAM使用電阻作為開關(guān)的基礎(chǔ)。與STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新興存儲(chǔ)器件一起，ReRAM是取代嵌入式閃存（eFlash）的主要競(jìng)爭(zhēng)者之一。ReRAM不受輻射的影響，具有很高的電磁耐受性，并且沒有泄漏問題，因?yàn)樗皇腔陔姾傻钠骷?/P>
ReRAM （RRAM）產(chǎn)品和技術(shù)路線圖顯示臺(tái)積電22ULL ReRAM
